百家乐开户-百家乐官网开户-机械百家乐技巧

網(wǎng)站頁(yè)面已加載完成

由于您當(dāng)前的瀏覽器版本過(guò)低,存在安全隱患。建議您盡快更新,以便獲取更好的體驗(yàn)。推薦使用最新版Chrome、Firefox、Opera、Edge

Chrome

Firefox

Opera

Edge

ENG

當(dāng)前位置: 首頁(yè) · 學(xué)術(shù)交流 · 正文

學(xué)術(shù)交流

【學(xué)術(shù)報(bào)告】研究生靈犀學(xué)術(shù)殿堂第293期之McCombe教授報(bào)告會(huì)通知

發(fā)布時(shí)間:2018年04月20日 來(lái)源:理學(xué)院 點(diǎn)擊數(shù):

全校師生:

我校定于2018年04月23日舉辦研究生靈犀學(xué)術(shù)殿堂——McCombe教授報(bào)告會(huì),現(xiàn)將有關(guān)事項(xiàng)通知如下:

1.報(bào)告會(huì)簡(jiǎn)介

報(bào)告人:McCombe教授

時(shí)間:2018年04月23日(星期一)下午15:00(開(kāi)始時(shí)間)

地點(diǎn):長(zhǎng)安校區(qū)理學(xué)院學(xué)術(shù)報(bào)告廳

主題:THz Magnetospectroscopy of HgTe Quantum Wells near the Topological Insulator Phase

內(nèi)容簡(jiǎn)介:

Topological insulators are of considerable current interest because of their interesting physics and potential applications (“topotronics”). I will provide a brief background about topological insulators and the CdHgTe system and the unusual behavior of HgTe QWs in this system. Of particular interest for this talk is the HgTe quantum-well system with well-width near 6 nm where there is a transition from the “normal” band configuration (s-like conduction and p-like valence bands) to a 2D topological insulator phase with p-like conduction and valence bands, zero energy gap and linear (Dirac) dispersion at low electron energies. We have carried out a detailed study of HgTe QWs having width of about 6.3 nm, on the “normal” band configuration side of the transition. I will also discuss some photovoltage measurements that demonstrate large photoelectric effects in these structures.

2.歡迎各學(xué)院師生前來(lái)聽(tīng)報(bào)告。報(bào)告會(huì)期間請(qǐng)關(guān)閉手機(jī)或?qū)⑹謾C(jī)調(diào)至靜音模式。

黨委研究生工作部

理學(xué)院

2018年04月19日

報(bào)告人簡(jiǎn)介

McCombe(麥庫(kù)姆)教授1966年畢業(yè)于布朗大學(xué)獲得博士學(xué)位,是美國(guó)紐約州立大學(xué)布法羅分校榮譽(yù)退休教授,曾任紐約州立大學(xué)布法羅分校校長(zhǎng)高級(jí)顧問(wèn),代理教務(wù)長(zhǎng),執(zhí)行副校長(zhǎng)等職務(wù)。McCombe教授一直致力于半導(dǎo)體材料物理性質(zhì)研究,主要研究?jī)?nèi)容有:半導(dǎo)體紅外及遠(yuǎn)紅外性質(zhì),半導(dǎo)體磁光和磁輸送性質(zhì),半導(dǎo)體光譜學(xué),半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)研究,電-光-聲在納米半導(dǎo)體材料中的相互作用,遠(yuǎn)紅外研究高壓狀態(tài)下半導(dǎo)體或半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的電子態(tài),半導(dǎo)體紅外及遠(yuǎn)紅外非線(xiàn)性光學(xué)性質(zhì)等等。迄今為止,McCombe教授已發(fā)表高水平SCI論文100余篇,包括物理領(lǐng)域頂級(jí)期刊比如Phys. Rev. Lett., Phys. Rev. B, Appl. Phys. Lett., J. Appl. Phys.。此外,McCombe教授先后發(fā)表40余篇會(huì)議論文集,出版4章書(shū)籍內(nèi)容。而且,McCombe教授曾培養(yǎng)過(guò)25名博士研究生和20名碩士研究生。其中一名博士研究生,Eginligil Mustafa現(xiàn)任先進(jìn)材料研究院教授。